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L'ÉTS vous donne rendez-vous à sa journée portes ouvertes qui aura lieu sur son campus à l'automne et à l'hiver : Samedi 18 novembre 2023 Samedi 17 février 2024 Le dépôt de votre demande d'admission à un programme de baccalauréat ou au cheminement universitaire en technologie sera gratuit si vous étudiez ou détenez un diplôme collégial d'un établissement québécois.

Préalable(s)
  • ELE200
Sigle
ELE793
Responsable
Département de génie électrique
Cycle
1er
Crédits
3
Charge de travail
  • Cours (39h)
  • Laboratoire ou travaux pratiques (24h)
  • Travaux personnels (72h)

ELE793 - Circuits et systèmes radiofréquences

Ce cours vise à concevoir et analyser des circuits radiofréquences.

Au terme de ce cours, la personne étudiante sera en mesure de :

  • comprendre les architectures de récepteurs et de transmetteurs RF ainsi que les circuits clés qui les composent;
  • utiliser les principes de conception pour développer des circuits intégrés et des systèmes RF;
  • concevoir des architectures de récepteurs et de transmetteurs sans fil simples et complexes;
  • évaluer les limitations de performance des circuits RF, notamment en termes de non-linéarité et de bruit;
  • appliquer des techniques avancées pour la conception et l'implémentation de circuits RF tels que les amplificateurs faible bruit, oscillateurs, mélangeurs et boucles à verrouillage de phase.

Éléments de contenu : circuits de communication : comparaison entre la conception à basse fréquence et la conception RF, ainsi que les circuits utilisés dans les transmetteurs récepteurs RF. Difficultés de conception de circuits intégrés RF : bruit, linéarité, distorsion et signaux modulés. Architectures de systèmes RF : architectures de transmetteurs-récepteurs, considérations de conception et introduction aux liens entre transmetteurs et récepteurs. Révision : transistors BJT et MOSFET, dessin de transistors RF et performance RF des transistors. Interfaçage et adaptation des impédances adaptation à large bande et utilisation des paramètres S, Y et Z. Éléments passifs dans les circuits intégrés RF : parasites inductifs et capacitifs, interconnexions, ainsi que condensateurs, inductances et résistances intégrés. Amplificateurs à faible bruit : structures typiques, structures avec rétroaction, bruit et linéarité, stabilité, topologies à basse tension, polarisation DC. Mélangeurs : principe de mélange des signaux avec des non-linéarités, opération, cellule de Gilbert, bruit et linéarité. Oscillateurs contrôlés en tension : oscillateurs LC, oscillateurs différentiels, de Colpitts, en boucle et en quadrature, ainsi que bruit de phase et contrôle des oscillateurs. Synthétiseurs de fréquence : synthétiseurs à diviseur entier et fractionnel, composants et analyse des synthétiseurs. Amplificateurs de puissance : efficacité, différentes classes d'amplificateurs de puissance.

Groupe Jour Type
01 Lundi 13:30 Laboratoire aux 2 semaines
01 Jeudi 13:30 Activité de cours